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2025-07-02 02:27:02
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2012年获得洪堡奖学金(Experiencedresearcher)，吉林局长基地在德国波鸿鲁尔大学开展研究。（B）低倍率高角度环形暗场-扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）图以及C，源局研吉用及研N，Ru，Zr和O的EDS-map图
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图2b比较了典型接触分离TENG的输出电压与四种不同的表面类型：源局研吉用及研平面（非结构化）、线、立方体和金字塔。图10a是纳米线阵列的薄膜，赵彦装备制造可用作电触层的器件图。